(JFET) Sperrschicht-FET, bei der die Raumladungszone eines gesperrten PN-Überganges den Strom-Kanal einschnürt, und so den Stromfluss beeinflusst. Von W. Shockley 1952 vorgeschlagen und 1953 von G. C. Dacey and I. M. Ross erstmals hergestellt. Vo... Gefunden auf https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=J&id=15802&page=1
(JFET) Sperrschicht-FET, bei der die Raumladungszone eines gesperrten PN-berganges den Strom-Kanal einschnrt, und so den Stromfluss beeinflusst. Von W. Shockley 1952 vorgeschlagen und 1953 von G. C. Dacey and I. M. Ross erstmals hergestellt. Vorlufer des IGFET. Gefunden auf https://www.elektroniknet.de/lexikon/?s=2&k=J&id=15802&page=1